2023年度 電験3種 下期 - 理論 - 問11 2023年度 下期 理論 問11

問題文

まず問題文だけに集中します。採点後に要点と解説へ進みます。

FETは、半導体の中を移動する多数キャリアを (ア) 電圧により生じる電界によって制御する素子であり、接合形と (イ) 接合形の (ウ) チャネル FETを示す。 次の図記号は (ウ) チャネル FETを示す。 上記の記述中の空白箇所(ア)～(ウ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

選択肢

選択後、下の採点ボタンで確認します。

1 選ぶ 2 採点 3 解説

(ア)

(イ)

(ウ)

• (1)

  (ア)

  ゲート

  (イ)

  MOS

  (ウ)

  n
• (2)

  (ア)

  ドレイン

  (イ)

  MSI

  (ウ)

  p
• (3)

  (ア)

  ソース

  (イ)

  DIP

  (ウ)

  n
• (4)

  (ア)

  ドレイン

  (イ)

  MOS

  (ウ)

  p
• (5)

  (ア)

  ゲート

  (イ)

  DIP

  (ウ)

  n

選択肢を選ぶ

選択だけではまだ採点されません。

選んで採点

広告枠

この枠は無料ユーザー向けに表示されます

広告なしで使いたい場合はライト以上へ切り替えると非表示になります。

プランを見る