2023年度 下期 理論 問11 2023年度 下期 理論 問11

問題文

FETは、半導体の中を移動する多数キャリアを (ア) 電圧により生じる電界によって制御する素子であり、接合形と (イ) 接合形の (ウ) チャネル FETを示す。 次の図記号は (ウ) チャネル FETを示す。 上記の記述中の空白箇所(ア)～(ウ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

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(ア)

(イ)

(ウ)

• (1)

  (ア)

  ゲート

  (イ)

  MOS

  (ウ)

  n
• (2)

  (ア)

  ドレイン

  (イ)

  MSI

  (ウ)

  p
• (3)

  (ア)

  ソース

  (イ)

  DIP

  (ウ)

  n
• (4)

  (ア)

  ドレイン

  (イ)

  MOS

  (ウ)

  p
• (5)

  (ア)

  ゲート

  (イ)

  DIP

  (ウ)

  n