問題文
バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ (FET) に関する記述として、誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
選択肢
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(1)
バイポーラトランジスタは、消費電力がFETより大きい。
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(2)
バイポーラトランジスタは、静電気に対してFETより破壊されにくい。
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(3)
バイポーラトランジスタの入力インピーダンスは、FETのそれよりも低い。
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(4)
バイポーラトランジスタは電圧制御素子、FETは電流制御素子といわれる。
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(5)
バイポーラトランジスタのコレクタ電流は自由電子及び正孔の両方が関与し、FETのドレーン電流は自由電子又は正孔のどちらかが関与する。
選択肢4の記述が誤りです。正しくは以下の通りです。
- **バイポーラトランジスタ**：ベース**電流**によってコレクタ電流を制御するため、「**電流**制御素子」と呼ばれます。
- **FET (電界効果トランジスタ)**：ゲート**電圧**（電界）によってドレイン電流を制御するため、「**電圧**制御素子」と呼ばれます。
他の選択肢は一般的に正しい記述です。
1. バイポーラは電流駆動のため駆動電力が大きく、FET（特にCMOS）は低消費電力です。
2. FET（特にMOSFET）はゲート絶縁膜が静電気で破壊されやすいため、バイポーラの方が静電気に強いです。
3. FETの入力インピーダンスは極めて高いのに対し、バイポーラは比較的低いです。
5. バイポーラは正孔と電子の両方が動作に関与し、FETはユニポーラ（どちらか片方）です。