2011年度 電験3種 上期 - 理論 - 問11 2011年度 理論 問11

次の文章は、電界効果トランジスタに関する記述である。 図に示す MOS電界効果トランジスタ (MOSFET)は、p形基板表面にn形のソースとドレーン領域が形成されている。 また、ゲート電極は、ソースとドレーン間のp形基板表面上に薄い酸化膜の絶縁層(ゲート酸化膜)を介して作られている。 ソースSとp形基板の電位を接地電位とし、ゲートGにしきい値電圧以上の正の電圧 \( V_{GS} \) を加えることで、絶縁層を隔てたp形基板表面近くでは、(ア) が除去され、チャネルと呼ばれる (イ) の薄い層ができる。 これによりソースSとドレーンDが接続される。この \( V_{GS} \) を上昇させるとドレーン電流 \( I_{D} \) は (ウ) する。 また、このFETは (エ) チャネル MOSFET と呼ばれている。 上記の記述中の空白箇所(ア)、(イ)、(ウ)及び(エ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。