2011年度 電験3種 上期 - 機械 - 問10 電験3種 配点 5

半導体電力変換装置では、整流ダイオード、サイリスタ、パワートランジスタ(バイポーラパワートランジスタ), パワー MOSFET, IGBT などのパワー半導体デバイスがバルブデバイスとして用いられている。 バルブデバイスに関する記述として、誤っているものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。

• (1)

  整流ダイオードは、n形半導体とp形半導体とによるpn接合で整流を行う。
• (2)

  逆阻止三端子サイリスタは、ターンオンだけが制御可能なバルブデバイスである。
• (3)

  パワートランジスタは、遮断領域と能動領域とを切り換えて電力スイッチとして使用する。
• (4)

  パワー MOSFETは、主に電圧が低い変換装置において高い周波数でスイッチングする用途に用いられる。
• (5)

  IGBTは、バイポーラと MOSFET との複合機能デバイスであり、それぞれの長所を併せもつ。