電験3種 過去問演習

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問題演習

2009年度 電験3種 上期 - 理論 - 問11 2009年度 理論 問11

電験3種 配点 5
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問題文

まず問題文だけに集中します。採点後に要点と解説へ進みます。

半導体に関する記述として、誤っているのは次のうちどれか。

選択肢

選択後、下の採点ボタンで確認します。

1 選ぶ 2 採点 3 解説
  • (1)
    シリコン (Si) やゲルマニウム (Ge) の真性半導体においては、キャリヤの電子と正孔の数は同じである。
  • (2)
    真性半導体に微量のIII族又はV族の元素を不純物として加えた半導体を不純物半導体といい、電気伝導度が真性半導体に比べて大きくなる。
  • (3)
    シリコン (Si) やゲルマニウム (Ge) の真性半導体にV族の元素を不純物として微量だけ加えたものをp形半導体という。
  • (4)
    n形半導体の少数キャリヤは正孔である。
  • (5)
    半導体の電気伝導度は温度が下がると小さくなる。
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