半導体に関する記述として、誤っているのは次のうちどれか。
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(1)
シリコン (Si) やゲルマニウム (Ge) の真性半導体においては、キャリヤの電子と正孔の数は同じである。
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(2)
真性半導体に微量のIII族又はV族の元素を不純物として加えた半導体を不純物半導体といい、電気伝導度が真性半導体に比べて大きくなる。
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(3)
シリコン (Si) やゲルマニウム (Ge) の真性半導体にV族の元素を不純物として微量だけ加えたものをp形半導体という。
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要点
正解は(3)。誤り。V族(リン、ヒ素など)を加えると電子が過剰となり「n形」半導体となる。p形半導体にするにはIII族(ホウ素、アルミニウムなど)を加える。
詳細解説
正解は(3)です。
3. 誤り。V族(リン、ヒ素など)を加えると電子が過剰となり「n形」半導体となる。p形半導体にするにはIII族(ホウ素、アルミニウムなど)を加える。 以上より、選択肢(3)が正解です。