問題文
半導体に関する記述として、誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
選択肢
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(1)
極めて高い純度に精製されたシリコン (Si) の真性半導体に、価電子の数が3個の原子、例えばホウ素 (B) を加えると p形半導体になる。
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(2)
真性半導体に外部から熱を与えると、その抵抗率は温度の上昇とともに増加する。
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(3)
n形半導体のキャリアは正孔より自由電子の方が多い。
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(4)
不純物半導体の導電率は金属よりも小さいが、真性半導体よりも大きい。
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(5)
真性半導体に外部から熱や光などのエネルギーを加えると電流が流れ、その向きは正孔の移動する向きと同じである。
1. 正しい。3価の元素（アクセプタ）を加えるとp形になります。
2. 誤り。半導体は温度が上昇すると、熱励起によりキャリア（電子・正孔）の数が増加するため、抵抗率は「減少」します（導電性が高くなる）。金属は温度上昇により抵抗率が増加しますが、半導体は逆の特性を持ちます。
3. 正しい。n形半導体の多数キャリアは自由電子です。
4. 正しい。導電率の順序は 金属 ＞ 不純物半導体 ＞ 真性半導体 です。
5. 正しい。電流の向きは正の電荷を持つ正孔の移動方向と同じです。