2016年度 電験3種 上期 - 理論 - 問11 2016年度 理論 問11

問題文

まず問題文だけに集中します。採点後に要点と解説へ進みます。

半導体に関する記述として、誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

選択肢

選択後、下の採点ボタンで確認します。

1 選ぶ 2 採点 3 解説

• (1)

  極めて高い純度に精製されたシリコン (Si) の真性半導体に、価電子の数が3個の原子、例えばホウ素 (B) を加えると p形半導体になる。
• (2)

  真性半導体に外部から熱を与えると、その抵抗率は温度の上昇とともに増加する。
• (3)

  n形半導体のキャリアは正孔より自由電子の方が多い。
• (4)

  不純物半導体の導電率は金属よりも小さいが、真性半導体よりも大きい。
• (5)

  真性半導体に外部から熱や光などのエネルギーを加えると電流が流れ、その向きは正孔の移動する向きと同じである。

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選択だけではまだ採点されません。

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