半導体素子に関する記述として、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
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(1)
pn接合ダイオードは、それに順電圧を加えると電子が素子中をアノードからカソードへ移動する2端子素子である。
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(2)
LEDは、pn接合領域に逆電圧を加えたときに発光する素子である。
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(3)
MOSFET は、ゲートに加える電圧によってドレーン電流を制御できる電圧制御形の素子である。
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(4)
可変容量ダイオード(バリキャップ)は、加えた逆電圧の値が大きくなるとその静電容量も大きくなる2端子素子である。
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(5)
サイリスタは、p形半導体とn形半導体の4層構造からなる4端子素子である。
要点
正解は(3)。誤り。順バイアス時、電流はアノード→カソードだが、電子はカソード→アノードへ移動する。2. 誤り。LEDは順電圧で発光する。3. 正しい。MOSFETはゲート電圧でチャネルを制御する電圧制御素子。
詳細解説
1. 誤り。順バイアス時、電流はアノード→カソードだが、電子はカソード→アノードへ移動する。
2. 誤り。LEDは順電圧で発光する。
3. 正しい。MOSFETはゲート電圧でチャネルを制御する電圧制御素子。
4. 誤り。逆電圧が大きくなると空乏層が広がり、静電容量は小さくなる。
5. 誤り。サイリスタ（SCR）は通常、アノード・カソード・ゲートの3端子である。
