2020年度 機械 問10 2020年度 機械 問10

問題文

パワー半導体スイッチングデバイスとしては近年、主にIGBTとパワーMOSFETが用いられている。両者を比較した記述として、誤っているものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。

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• (1)

  IGBTは電圧駆動形であり、ゲート・エミッタ間の電圧によってオン・オフを制御する。
• (2)

  パワーMOSFETは電流駆動形であり、キャリア蓄積効果があることからスイッチング損失が大きい。
• (3)

  パワーMOSFETはユニポーラデバイスであり、バイポーラ形のデバイスと比べてオン状態の抵抗が高い。
• (4)

  IGBTはバイポーラトランジスタにパワーMOSFETの特徴を組み合わせることにより、スイッチング特性を改善している。
• (5)

  パワーMOSFETではシリコンのかわりにSiCを用いることで、高耐圧化をしつつオン状態の抵抗を低くすることが可能になる。