半導体に関する記述として、誤っているのは次のうちどれか。

図に示すように、直線導体A及びBがy方向に平行に配置され、両導体に同じ大きさの電流が共に+y 方向に流れているとする。このとき、各導体に加わる力の方向について、正しいものを組み合わせたのは次のうちどれか。なお、xyz 座標の定義は、破線の枠内の図で示したとおりとする。

20 [℃] における抵抗値が \( R_{1} \) [Ω]、抵抗温度係数が \( \alpha_{1} \) [℃\(^{-1}\)] の抵抗器 A と20 [℃] における抵抗値が \( R_{2} \) [Ω]、抵抗温度係数が \( \alpha_{2}=0 \) [℃\(^{-1}\)] の抵抗器 B が並列に接続されている。 その20 [℃] と21 [℃] における並列抵抗値をそれぞれ \( r_{20} \) [Ω]、\( r_{21} \) [Ω] とし、\( \dfrac{r_{21}-r_{20}}{r_{20}} \) を変化率とする。 変化率として、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図のように、抵抗を直並列に接続した回路がある。この回路において、\(I_{1}=100\) [mA] のとき、 \(I_{4}\) [mA]の値として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

次の文章は、不純物半導体に関する記述である。 極めて高い純度に精製されたケイ素 (Si)の真性半導体に、微量のリン(P), ヒ素(As)などの (7) 価の元素を不純物として加えたものを (イ) 形半導体といい、このとき加えた不純物を (ウ) という。 ただし、Si, P, Asの原子番号は、それぞれ14, 15, 33である。 上記の記述中の空白箇所(7), (イ)及び(ウ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図のように、内部抵抗 \(r=0.1\) \(\Omega\)、起電力 \(E=9\) V の電池4個を並列に接続した電源に抵抗 \(R=0.5\) \(\Omega\) の負荷を接続した回路がある。この回路において、抵抗 \(R=0.5\) \(\Omega\) で消費される電力の値 [W] として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

次の(1)～(5)は、計測の結果、得られた測定値を用いた計算である。これらのうち、有効数字と単位の取り扱い方がともに正しいものを一つ選べ。

次の文章は、抵抗器の許容電力に関する記述である。 許容電力 \(\dfrac{1}{4}\) W、抵抗値 100 \(\Omega\) の抵抗器A、及び許容電力 \(\dfrac{1}{8}\) W、抵抗値 200 \(\Omega\) の抵抗器Bがある。抵抗器Aと抵抗器Bとを直列に接続したとき、この直列抵抗に流すことのできる許容電流の値は (ア) mAである。また、直列抵抗全体に加えることのできる電圧の最大値は、抵抗器Aと抵抗器Bとを並列に接続したときに加えることのできる電圧の最大値の (イ) 倍である。 上記の記述中の空白箇所 (ア)及び(イ)に当てはまる数値の組合せとして、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図のように電圧増幅度 \(A (>0)\) の増幅回路と帰還率 \(\beta (0<\beta \le 1)\) の帰還回路からなる負帰還増幅回路がある。この負帰還増幅回路に関する記述として、正しいものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。ただし、帰還率は周波数によらず一定であるものとする。

次の文章は、熱電対に関する記述である。 熱電対の二つの接合点に温度差を与えると、起電力が発生する。この現象を (ア) 効果といい、このとき発生する起電力を (イ) 起電力という。熱電対の接合点の温度の高いほうを (ウ) 接点、低いほうを (エ) 接点という。 上記の記述中の空白箇所 (ア) ～ (エ) に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図のように、起電力 \(E\) [V], 内部抵抗 \(r\) [\(\Omega\)] の電池 \(n\) 個と可変抵抗 \(R\) [\(\Omega\)] を直列に接続した回路がある。この回路において、可変抵抗 \(R\) [\(\Omega\)] で消費される電力が最大になるようにその値 [\(\Omega\)] を調整した。このとき、回路に流れる電流 \(I\) の値 [A] を表す式として、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

20℃における抵抗値が \( R_{1} \) [\(\Omega\)]、抵抗温度係数が \( \alpha_{1} \) [\({}^{\circ}\mathrm{C}^{-1}\)] の抵抗器Aと20℃における抵抗値が \( R_{2} \) [\(\Omega\)]、抵抗温度係数が \( \alpha_{2}=0 \) [\({}^{\circ}\mathrm{C}^{-1}\)] の抵抗器Bが並列に接続されている。その20℃と21℃における並列抵抗値をそれぞれ \( r_{20} \) [\(\Omega\)]、\( r_{21} \) [\(\Omega\)] とし、\( \dfrac{r_{21}-r_{20}}{r_{20}} \) を変化率とする。この変化率として、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

真空中において、電子の運動エネルギーが \( 400 \mathrm{eV} \) のときの速さが \( 1.19 \times 10^7 \mathrm{m/s} \) であった。電子の運動エネルギーが \( 100 \mathrm{eV} \) のときの速さ \(\mathrm{[m/s]}\) の値として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 ただし、電子の相対性理論効果は無視するものとする。

図1は、正弦波を出力しているある発振回路の構造を示している。この発振回路の帰還回路の出力端子と増幅回路の入力端子との接続を切り離し、図2のように適当な周波数の正弦波 \( V_{i} \) を増幅回路に入力すると、次の二つの条件が同時に満たされている。 1. 増幅回路の入力電圧 \( V_{i} \) と帰還回路の出力電圧 \( V_{f} \) が (ア) である。 2. 増幅回路の増幅度 \( \left|\dfrac{V_{o}}{V_{i}}\right| \triangleq A \)、帰還回路の帰還率 \( \left|\dfrac{V_{f}}{V_{o}}\right| \triangleq \beta \) と表すとき、 (イ) である。 図1で示される発振回路は、条件1より (ウ) 回路である。 上記の記述中の空白箇所 (ア)～(ウ) に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

データ変換に関する記述として、誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図のように、異なる2種類の金属A、Bで一つの閉回路を作り、その二つの接合点を異なる温度に保てば、(ア)。この現象を (イ) 効果という。 上記の記述中の空白箇所(ア)及び(イ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。

図に示すように二つの増幅器を縦続接続した回路があり、増幅器1の電圧増幅度は10である。今、入力電圧 \(v_i\) の値として \(0.4 \mathrm{mV}\) の信号を加えたとき、出力電圧 \(v_o\) の値は \(0.4 \mathrm{V}\) であった。増幅器2の電圧利得の値 \(\mathrm{[dB]}\) として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図に示すように、直線導体A及びBが \( y \) 方向に平行に配置され、両導体に同じ大きさの電流 \( I \) が共に \( +y \) 方向に流れているとする。このとき、各導体に加わる力の方向について、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 なお、\( xyz \) 座標の定義は、破線の枠内の図で示したとおりとする。