次の文章は、図1及び図2に示す原理図を用いてホール素子の動作原理について述べたものである。 図1に示すように、p形半導体に直流電流I [A]を流し、半導体の表面に対して垂直に下から上向きに磁束密度B [T]の平等磁界を半導体にかけると、半導体内の正孔は進路を曲げられ、電極①には (ア) 電荷,電極②には (イ) 電荷が分布し、半導体の内部に電界が生じる。また、図2のn形半導体の場合は、電界の方向はp形半導体の方向と (ウ) である。この電界により、電極①-②間にホール電圧 \(V_{H} = R_{H} \times\) (エ) [V]が発生する。 ただし、d [m]は半導体の厚さを示し、\(R_{H}\) は比例定数 \([\mathrm{m}^{3}/\mathrm{C}]\) である。 上記の記述中の空白箇所(ア)~(エ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。

FETは、半導体の中を移動する多数キャリアを (ア) 電圧により生じる電界によって制御する素子であり、接合形と (イ) 接合形の (ウ) チャネル FETを示す。 次の図記号は (ウ) チャネル FETを示す。 上記の記述中の空白箇所(ア)～(ウ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図のように、異なる2種類の金属A、Bで一つの閉回路を作り、その二つの接合点を異なる温度に保てば、(ア)。この現象を (イ) 効果という。 上記の記述中の空白箇所(ア)及び(イ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。

次の文章は、真空中における電子の運動に関する記述である。 図のように、\(x\) 軸上の負の向きに大きさが一定の電界 \(E \mathrm{[V/m]}\) が存在しているとき、\(x\) 軸上に電荷が \(-e \mathrm{[C]}\) (eは電荷の絶対値)、質量 \(m_{0} \mathrm{[kg]}\) の1個の電子を置いた場合を考える。\(x\) 軸の正方向の電子の加速度を \(a \mathrm{[m/s^2]}\) とし、また、この電子に加わる力の正方向を \(x\) 軸の正方向にとったとき、電子の運動方程式は \[ ma = (\text{ア}) \quad \dots (1) \] となる。①式から電子は等加速度運動をすることがわかる。したがって、電子の初速度を零としたとき、\(x\) 軸の正方向に向かう電子の速度 \(v \mathrm{[m/s]}\) は時間 \(t \mathrm{[s]}\) の (イ) 関数となる。また、電子の走行距離 \(x \mathrm{[m]}\) は時間 \(t \mathrm{[s]}\) の (ウ) 関数で表される。さらに、電子の運動エネルギーは時間 \(t \mathrm{[s]}\) の (エ) で増加することがわかる。 ただし、電子の速度 \(v \mathrm{[m/s]}\) はその質量の変化が無視できる範囲とする。

図のコレクタ接地増幅回路に関する記述として、誤っているものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。

図に示すように二つの増幅器を縦続接続した回路があり、増幅器1の電圧増幅度は10である。今、入力電圧 \(v_i\) の値として \(0.4 \mathrm{mV}\) の信号を加えたとき、出力電圧 \(v_o\) の値は \(0.4 \mathrm{V}\) であった。増幅器2の電圧利得の値 \(\mathrm{[dB]}\) として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図のように、線間電圧200Vの対称三相交流電源から三相平衡負荷に供給する電力を二電力計法で測定する。2台の電力計 \(W_{1}\) 及び \(W_{2}\) を正しく接続したところ、電力計 \(W_{2}\) の指針が逆振れを起こした。電力計 \(W_{2}\) の電圧端子の極性を反転して接続した後、2台の電力計の指示値は、電力計 \(W_{1}\) が490W, 電力計 \(W_{2}\) が25Wであった。このときの対称三相交流電源が三相平衡負荷に供給する電力の値 [W] として、最も近いものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。 ただし、三相交流電源の相回転はa, b, cの順とし、電力計の電力損失は無視できるものとする。

固有の名称をもつSI組立単位の記号と、これと同じ内容を表す他の表し方の組合せとして、誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図の平衡三相回路について、次の(a)及び(b)の問に答えよ。

抵抗 \(R \mathrm{[\Omega]}\)、誘導性リアクタンス \(X \mathrm{[\Omega]}\) からなる平衡三相負荷(力率80%)に対称三相交流電源を接続した交流回路がある。次の(a)及び(b)の問に答えよ。 図1のように、Y結線した平衡三相負荷に線間電圧 \(210 \mathrm{V}\) の三相電圧を加えたとき、回路を流れる線電流 \(I\) は \(\dfrac{14}{\sqrt{3}} \mathrm{A}\) であった。負荷の誘導性リアクタンス \(X\) の値 \(\mathrm{[\Omega]}\) として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図の平衡三相回路について、次の(a)及び(b)の問に答えよ。

抵抗 \(R \mathrm{[\Omega]}\)、誘導性リアクタンス \(X \mathrm{[\Omega]}\) からなる平衡三相負荷(力率80%)に対称三相交流電源を接続した交流回路がある。次の(a)及び(b)の問に答えよ。 図1の各相の負荷を使って \(\Delta\) 結線し、図2のように相電圧 \(200 \mathrm{V}\) の対称三相電源に接続した。この平衡三相負荷の全消費電力の値 \(\mathrm{[kW]}\) として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

内部抵抗が \(15\,\mathrm{k\Omega}\) の150V 測定端子と内部抵抗が \(10\,\mathrm{k\Omega}\) の100V 測定端子をもつ永久磁石可動コイル形直流電圧計がある。この直流電圧計を使用して、図のように、電流I [A]の定電流源で電流を流して抵抗Rの両端の電圧を測定した。 測定I: 150Vの測定端子で測定したところ、直流電圧計の指示値は101.0 V であった。 測定II: 100Vの測定端子で測定したところ、直流電圧計の指示値は99.00 V であった。 次の(a)及び(b)の問に答えよ。 ただし、測定に用いた機器の指示値に誤差はないものとする。

図のように、電源 \(E \mathrm{[V]}\)、負荷抵抗 \(R \mathrm{[\Omega]}\)、内部抵抗 \(R_{v} \mathrm{[k\Omega]}\) の電圧計及び内部抵抗 \(R_{a} \mathrm{[\Omega]}\) の電流計を接続した回路がある。この回路において、電圧計及び電流計の指示値がそれぞれ \(V_{1} \mathrm{[V]}\)、\(I_{1} \mathrm{[A]}\) であるとき、次の(a)及び(b)の問に答えよ。ただし、電圧計と電流計の指示値の積を負荷抵抗 \(R \mathrm{[\Omega]}\) の消費電力の測定値とする。 電流計の電力損失の値 \(\mathrm{[W]}\) を表す式として、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

内部抵抗が \(15\,\mathrm{k\Omega}\) の150V 測定端子と内部抵抗が \(10\,\mathrm{k\Omega}\) の100V 測定端子をもつ永久磁石可動コイル形直流電圧計がある。この直流電圧計を使用して、図のように、電流I [A]の定電流源で電流を流して抵抗Rの両端の電圧を測定した。 測定I: 150Vの測定端子で測定したところ、直流電圧計の指示値は101.0 V であった。 測定II: 100Vの測定端子で測定したところ、直流電圧計の指示値は99.00 V であった。 次の(a)及び(b)の問に答えよ。 ただし、測定に用いた機器の指示値に誤差はないものとする。

図のように、電源 \(E \mathrm{[V]}\)、負荷抵抗 \(R \mathrm{[\Omega]}\)、内部抵抗 \(R_{v} \mathrm{[k\Omega]}\) の電圧計及び内部抵抗 \(R_{a} \mathrm{[\Omega]}\) の電流計を接続した回路がある。この回路において、電圧計及び電流計の指示値がそれぞれ \(V_{1} \mathrm{[V]}\)、\(I_{1} \mathrm{[A]}\) であるとき、次の(a)及び(b)の問に答えよ。ただし、電圧計と電流計の指示値の積を負荷抵抗 \(R \mathrm{[\Omega]}\) の消費電力の測定値とする。 今、負荷抵抗 \(R=320 \Omega\)、電流計の内部抵抗 \(R_{a}=4 \Omega\) が分かっている。この回路で得られた負荷抵抗 \(R \mathrm{[\Omega]}\) の消費電力の測定値 \(V_{1}I_{1} \mathrm{[W]}\) に対して、\(R \mathrm{[\Omega]}\) の消費電力を真値とするとき、誤差率の値 \(\mathrm{[\%]}\) として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図のように、極板間の厚さd [m],表面積S [m²]の平行板コンデンサAとBがある。コンデンサAの内部は、比誘電率と厚さが異なる3種類の誘電体で構成され、極板と各誘電体の水平方向の断面積は同一である。コンデンサBの内部は、比誘電率と水平方向の断面積が異なる3種類の誘電体で構成されている。コンデンサAの各誘電体内部の電界の強さをそれぞれ \(E_{A1}, E_{A2}, E_{A3}\)、コンデンサBの各誘電体内部の電界の強さをそれぞれ \(E_{B1}, E_{B2}, E_{B3}\) とし、端効果,初期電荷及び漏れ電流は無視できるものとする。また、真空の誘電率を \(\varepsilon_{0}[\mathrm{F/m}]\) とする。両コンデンサの上側の極板に電圧V [V]の直流電源を接続し、下側の極板を接地した。次の(a)及び(b)の問に答えよ。

図1の端子a-d間の合成静電容量について、次の(a)及び(b)の問に答えよ。 (選択問題) 端子b-c-d間は図2のように \(\Delta\) 結線で接続されている。これを図3のようにY結線に変換したとき、電気的に等価となるコンデンサ \(C\) の値 \(\mathrm{[\mu F]}\) として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図のように、極板間の厚さd [m],表面積S [m²]の平行板コンデンサAとBがある。コンデンサAの内部は、比誘電率と厚さが異なる3種類の誘電体で構成され、極板と各誘電体の水平方向の断面積は同一である。コンデンサBの内部は、比誘電率と水平方向の断面積が異なる3種類の誘電体で構成されている。コンデンサAの各誘電体内部の電界の強さをそれぞれ \(E_{A1}, E_{A2}, E_{A3}\)、コンデンサBの各誘電体内部の電界の強さをそれぞれ \(E_{B1}, E_{B2}, E_{B3}\) とし、端効果,初期電荷及び漏れ電流は無視できるものとする。また、真空の誘電率を \(\varepsilon_{0}[\mathrm{F/m}]\) とする。両コンデンサの上側の極板に電圧V [V]の直流電源を接続し、下側の極板を接地した。次の(a)及び(b)の問に答えよ。

図1の端子a-d間の合成静電容量について、次の(a)及び(b)の問に答えよ。 (選択問題) 図3を用いて、図1の端子b-c-d間をY結線回路に変換したとき、図1の端子a-d間の合成静電容量 \(C_{0}\) の値 \(\mathrm{[\mu F]}\) として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

振幅変調について、次の(a)及び(b)の問に答えよ。

図1は、飽和領域で動作する接合形FETを用いた増幅回路を示し、図中の \(v_{i}\) 並びに \(v_{o}\) はそれぞれ、入力と出力の小信号交流電圧 \(\mathrm{[V]}\) を表す。また、図2は、その増幅回路で使用するFETのゲートーソース間電圧 \(V_{gs} \mathrm{[V]}\) に対するドレーン電流 \(I_{d} \mathrm{[mA]}\) の特性を示している。抵抗 \(R_{G}=1 \mathrm{M\Omega}\)、\(R_{D}=5 \mathrm{k\Omega}\)、\(R_{L}=2.5 \mathrm{k\Omega}\)、直流電源電圧 \(V_{DD}=20 \mathrm{V}\) とするとき、次の(a)及び(b)の問に答えよ。 (選択問題) FETの動作点が図2の点Pとなる抵抗 \(R_{S}\) の値 \(\mathrm{[k\Omega]}\) として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

振幅変調について、次の(a)及び(b)の問に答えよ。

図1は、飽和領域で動作する接合形FETを用いた増幅回路を示し、図中の \(v_{i}\) 並びに \(v_{o}\) はそれぞれ、入力と出力の小信号交流電圧 \(\mathrm{[V]}\) を表す。また、図2は、その増幅回路で使用するFETのゲートーソース間電圧 \(V_{gs} \mathrm{[V]}\) に対するドレーン電流 \(I_{d} \mathrm{[mA]}\) の特性を示している。抵抗 \(R_{G}=1 \mathrm{M\Omega}\)、\(R_{D}=5 \mathrm{k\Omega}\)、\(R_{L}=2.5 \mathrm{k\Omega}\)、直流電源電圧 \(V_{DD}=20 \mathrm{V}\) とするとき、次の(a)及び(b)の問に答えよ。 (選択問題) 図2の特性曲線の点Pにおける接線の傾きを読むことで、FETの相互コンダクタンスが \(g_{m}=6 \mathrm{mS}\) であるとわかる。この値を用いて、増幅回路の小信号交流等価回路をかくと図3となる。ここで、コンデンサ \(C_{1}\)、\(C_{2}\)、\(C_{S}\) のインピーダンスが使用する周波数で十分に小さいときを考えており、FETの出力インピーダンスが \(R_{D} \mathrm{[k\Omega]}\) や \(R_{L} \mathrm{[k\Omega]}\) より十分大きいとしている。 この増幅回路の電圧増幅度 \(A_{v}=\left|\dfrac{v_{o}}{v_{i}}\right|\) の値として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図1に示すような、空気を含む二つの誘電体からなる平行平板電極がある。この下部電極を接地し、上部電極に電圧を加えたときの電極間の等電位線の分布を示す断面図として、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 ただし、誘電体の導電性及び電極と誘電体の端効果は無視できるものとする。参考までに固体誘電体を取り除いた、空気中平行平板電極の場合の等電位線の分布を図2に示す。

図のように、電極面積 \( 0.1 \mathrm{m}^{2} \)、電極間隔 \( 6 \mathrm{mm} \) の平行平板コンデンサに、比誘電率 \( \varepsilon_{r1}=2 \)、厚さ \( 2 \mathrm{mm} \) 及び比誘電率 \( \varepsilon_{r2}=4 \)、厚さ \( 4 \mathrm{mm} \) の2種類の誘電体が電極と平行に挿入されている。このコンデンサに \( 12 \mathrm{V} \) の直流電圧を印加したとき、蓄えられる電荷の値 \( [\mathrm{C}] \) として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 ただし、真空の誘電率 \( \varepsilon_{0}=8.85\times10^{-12} \mathrm{F/m} \) とし、コンデンサの端効果は無視するものとする。

空気中に孤立した半径 \(a\) [m] の導体球に帯電できる最大の電荷の値[C]として、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。ただし、空気の絶縁耐力及び誘電率はそれぞれ \(E_m\) [V/m] 及び \(\varepsilon_0\) [F/m] とする。

地球を、真空中にある半径 \( 6.37\times10^{6} \) の導体球と見なしたとき、地球の静電容量の値 \( [\mathrm{F}] \) として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 ただし、真空の誘電率を \( \varepsilon_{0}=8.85\times10^{-12} \mathrm{F/m} \) とする。

磁気に関する量とその単位記号 (SI 基本単位及び組立単位による表し方)の組合せとして、誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

巻数30のコイルを貫通している磁束が0.1秒間に \( 1 \mathrm{Wb} \) の割合で直線的に変化するとき、コイルに発生する起電力の大きさ \( [\mathrm{V}] \) として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図のように、A, B 2本の平行な直線導体があり、導体Aには1.2 Aの、導体Bにはそれと反対方向に3 Aの電流が流れている。導体AとBの間隔が \(l\) [m] のとき、導体Aより0.3 m離れた点Pにおける合成磁界が零になった。\(l\) の値[m]として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 ただし、導体A, Bは無限長とし、点Pは導体A, Bを含む平面上にあるものとする。

図に示すように、直線導体A及びBが \( y \) 方向に平行に配置され、両導体に同じ大きさの電流 \( I \) が共に \( +y \) 方向に流れているとする。このとき、各導体に加わる力の方向について、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 なお、\( xyz \) 座標の定義は、破線の枠内の図で示したとおりとする。

図の直流回路において、抵抗 \(R=10 \Omega\) で消費される電力の値 [W] として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

\( R_{1}=20 \Omega \)、 \( R_{2}=30 \Omega \) の抵抗、インダクタンス \( L_{1}=20 \mathrm{mH} \)、 \( L_{2}=40 \mathrm{mH} \) のコイル及び静電容量 \( C_{1}=400 \mu \mathrm{F} \)、 \( C_{2}=600 \mu \mathrm{F} \) のコンデンサからなる図のような直並列回路がある。直流電圧 \( E=100 \mathrm{V} \) を加えたとき、定常状態において \( L_{1} \)、 \( L_{2} \)、 \( C_{1} \) 及び \( C_{2} \) に蓄えられるエネルギーの総和の値 \( [\mathrm{J}] \) として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図の回路において、抵抗 \(R\) [\(\Omega\)] には電流 0.3 Aが流れている。抵抗 \(R\) の値[\(\Omega\)]として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図のように、二つの直流電源と三つの抵抗からなる回路がある。各抵抗に流れる電流を図に示す向きに定義するとき、電流 \( I_{1} \)、 \( I_{2} \)、 \( I_{3} \) の値 \( [\mathrm{A}] \) の組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

起電力が \(E\) [V] で内部抵抗が \(r\) [\(\Omega\)] の電池がある。この電池に抵抗 \(R_1\) [\(\Omega\)] と可変抵抗 \(R_2\) [\(\Omega\)] を並列につないだとき、抵抗 \(R_2\) [\(\Omega\)] から発生するジュール熱が最大となるときの抵抗 \(R_2\) の値 [\(\Omega\)] を表す式として、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図の抵抗回路において、端子a, b間の合成抵抗 \( R_{ab} \) の値 \( [\Omega] \) は \( 1.8R [\Omega] \) であった。このとき、抵抗 \( R_{x} \) の値 \( [\Omega] \) として、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図のように、二つのLC直列共振回路 A, B があり、それぞれの共振周波数が \(f_A\) [Hz], \(f_B\) [Hz] である。これら A, B をさらに直列に接続した場合、全体としての共振周波数が \(f_{AB}\) [Hz] になった。\(f_A\) 及び \(f_{AB}\) の大小関係として、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 （図：回路Aは \(L\) と \(C\)。回路Bは \(2L\) と \(C\)）

図のように、二つの正弦波交流電圧源 \( e_{1} [\mathrm{V}] \)、 \( e_{2} [\mathrm{V}] \) が直列に接続されている回路において、合成電圧 \( v [\mathrm{V}] \) の最大値は \( e_{1} \) の最大値の (ア) 倍となり、その位相は \( e_{1} \) を基準として (イ) \( [\mathrm{rad}] \) の (ウ) となる。 上記の記述中の空白箇所 (ア)～(ウ) に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 \[ e_{1} = E \sin(\omega t + \theta) \] \[ e_{2} = \sqrt{3} E \sin(\omega t + \theta + \frac{\pi}{2}) \]

次式に示す電圧 \(e\) [V] 及び電流 \(i\) [A] による電力の値 [kW] として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 \[ e = 100\sin\omega t + 50\sin\left(3\omega t - \dfrac{\pi}{6}\right) \text{ [V]} \] \[ i = 20\sin\left(\omega t - \dfrac{\pi}{6}\right) + 10\sqrt{3}\sin\left(3\omega t + \dfrac{\pi}{6}\right) \text{ [A]} \]

\( 4 \Omega \) の抵抗と静電容量が \( C [\mathrm{F}] \) のコンデンサを直列に接続したRC回路がある。このRC回路に、周波数 \( 50 \mathrm{Hz} \) の交流電圧 \( 100 \mathrm{V} \) の電源を接続したところ、 \( 20 \mathrm{A} \) の電流が流れた。では、このRC回路に、周波数 \( 60 \mathrm{Hz} \) の交流電圧 \( 100 \mathrm{V} \) の電源を接続したとき、RC回路に流れる電流の値 \( [\mathrm{A}] \) として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図の回路のスイッチSを \(t=0\) s で閉じる。電流 \(i_S\) [A] の波形として最も適切に表すものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 ただし、スイッチSを閉じる直前に、回路は定常状態にあったとする。 （回路定数：電源1V, 抵抗1\(\Omega\), コイル1H, コンデンサ2F）

図に示す回路において、スイッチSを閉じた瞬間（時刻 \( t=0 \)）に点Aを流れる電流を \( I_{0} [\mathrm{A}] \) とし、十分に時間が経ち、定常状態に達したのちに点Aを流れる電流を \( I [\mathrm{A}] \) とする。電流比 \( \dfrac{I_{0}}{I} \) の値として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 ただし、コンデンサの初期電荷は零とする。

バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ (FET) に関する記述として、誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

電界効果トランジスタ（FET）に関する記述として、誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

真空中に置かれた平行電極板間に、直流電圧 \(V\) [V] を加えて平等電界 \(E\) [V/m] を作り、この陰極板に電子を置いた場合、初速零で出発した電子が陽極板に到達したときの速さは、\(v\) [m/s] となった。このときの電子の運動エネルギーは、電子が陽極板に到達するまでに得るエネルギーに等しいと考えられ、次の式が成立する。 \[ \dfrac{1}{2}mv^{2} = \boxed{(\text{ア})} \] ただし、電子の電気素量を \(e\) [C], 電子の質量を \(m\) [kg] とする。 したがって、この式から電子の速さ \(v\) [m/s] は、(イ) で表される。 上記の記述中の空白箇所(ア)及び(イ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

次の文章は、電子レンジに内蔵されてマイクロ波を発生する、マグネトロン内の電子の軌跡を簡略化して説明した記述である。 図に示すように、真空中の平行平板電極間に直流電圧を加えて平等電界 \( E [\mathrm{V/m}] \) を作り、平等電界と直交する方向に磁束密度 \( B [\mathrm{T}] \) の平等磁界を加えた。図中の \(\odot\) は \( z \) 軸の正の向きで、紙面に垂直かつ手前の向きを表す。 陰極上の点Pに初速零で電荷 \( -e [\mathrm{C}] \) の電子を置いて静かに離すと、\( y \) 軸の (ア) の向きの電界により電子は陽極に向かって動き始める。同時に電子は磁束密度に (イ) した大きさの (ウ) 力を受ける。磁界は \( z \) 軸の (エ) の向きのため、電子は電界と磁界の作用で \( x \) 軸の正の向きに移動する。このとき磁束密度が一定値以上では電子は陽極に到達せずに、図のように (オ) といわれる軌跡を描く。ただし、電子は紙面と平行な平面上を移動し、重力の影響は無視できるものとする。 上記の記述中の空白箇所(ア)～(オ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

図1は、静電容量 \(C\) [F] のコンデンサとコイルからなる共振回路の等価回路である。このようにコイルに内部抵抗 \(r\) [\(\Omega\)] が存在する場合は、インダクタンス \(L\) [H] と抵抗 \(r\) [\(\Omega\)] の直列回路として表すことができる。この直列回路は、コイルの抵抗 \(r\) [\(\Omega\)] が、誘導性リアクタンス \(\omega L\) [\(\Omega\)] に比べて十分小さいものとすると、図2のように、等価抵抗 \(R_p\) [\(\Omega\)] とインダクタンス \(L\) [H] の並列回路に変換することができる。このときの等価抵抗 \(R_p\) [\(\Omega\)] の値を表す式として、正しいのは次のうちどれか。 ただし、\(I_c\) [A] は電流源の電流を表す。

図1は、固定バイアス回路を用いた、\( R_{B} \) の値が未知のエミッタ接地トランジスタ増幅回路である。図2は、この増幅回路で用いているトランジスタのコレクタ－エミッタ間電圧 \( V_{CE} \) とコレクタ電流 \( I_{C} \) との関係を予め調べ示した静特性である。ただし、五つのベース電流の値 \( I_{B} [\mu \mathrm{A}] \) のみに対する曲線であり、増幅回路の負荷抵抗 \( R_{L} \) の負荷線も重ねて示している。今、増幅回路の動作点を測定したところ \( V_{CE}=3.0 \mathrm{V} \) であった。抵抗 \( R_{B} \) の値 \( [\mathrm{M}\Omega] \) として最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。 ただし、ベース－エミッタ間電圧 \( V_{BE} \fallingdotseq 0.7 \) としてよい。なお、\( C_{1}, C_{2} \) は結合コンデンサであり、 \( V_{CC} \) は直流電圧源である。