問題文
次の文章は、電界効果トランジスタ (FET) に関する記述である。
図は、nチャネル接合形 FETの断面を示した模式図である。ドレーン (D) 電極に電圧 \( V_{DS} \) を加え、ソース (S) 電極を接地すると、nチャネルの （ア） キャリヤが移動してドレーン電流 \( I_D \) が流れる。ゲート (G) 電極に逆方向電圧 \( V_{GS} \) を加えると、pn接合付近に空乏層が形成されてnチャネルの幅が （イ） し、ドレーン電流 \( I_D \) が （ウ） する。このことからFETは （エ） 制御形の素子である。
上記の記述中の空白箇所(ア)～(エ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
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選択肢
* nチャネルFETにおいて、電流を運ぶキャリアは電子であり、これは**多数**キャリアです。（pチャネルなら正孔）。
* ゲートに逆方向電圧を加えると、空乏層が広がるため、チャネルの幅（電流の流れる道）は**減少**します。
* チャネル幅が減少するため、ドレーン電流 \( I_D \) は**減少**します。
* FETはゲート電圧によってドレーン電流を制御するため、**電圧**制御形の素子です。（対してバイポーラトランジスタは電流制御形）。