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図1は、固定バイアス回路を用いた、\( R_{B} \) の値が未知のエミッタ接地トランジスタ増幅回路である。図2は、この増幅回路で用いているトランジスタのコレクタ-エミッタ間電圧 \( V_{CE} \) とコレクタ電流 \( I_{C} \) との関係を予め調べ示した静特性である。ただし、五つのベース電流の値 \( I_{B} [\mu \mathrm{A}] \) のみに対する曲線であり、増幅回路の負荷抵抗 \( R_{L} \) の負荷線も重ねて示している。今、増幅回路の動作点を測定したところ \( V_{CE}=3.0 \mathrm{V} \) であった。抵抗 \( R_{B} \) の値 \( [\mathrm{M}\Omega] \) として最も近いものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。 ただし、ベース-エミッタ間電圧 \( V_{BE} \fallingdotseq 0.7 \) としてよい。なお、\( C_{1}, C_{2} \) は結合コンデンサであり、 \( V_{CC} \) は直流電圧源である。
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