図1に示す降圧チョッパの回路は、電圧Eの直流電源、スイッチングする半導体デバイスS、ダイオードD、リアクトルL、及び抵抗Rの負荷から構成されている。また、図2には、図1の回路に示すダイオードDの電圧 \(v_D\) と負荷の電流 \(i_R\) の波形を示す。次の(a)及び(b)の問に答えよ。
電圧 \(E\) が100V、降圧チョッパの通流率が50%、負荷抵抗Rが2\(\Omega\)とする。デバイスSは周期Tの高周波でスイッチングし、リアクトルLの平滑作用により、図2に示す電流のリプル成分は十分小さいとする。電流の平均値 \(I_R \, [\text{A}]\) として、最も近いものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。
分野: パワーエレクトロニクス
論点: パワーエレクトロニクス論点: チョッパ回路