電験三種過去問検索

2013年度理論

理論問1

極板間が比誘電率 \(\epsilon_{r}\) の誘電体で満たされている平行平板コンデンサに一定の直流電圧が加えられている。このコンデンサに関する記述 a～e として、誤っているものの組合せを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
ただし、コンデンサの端効果は無視できるものとする。

a. 極板間の電界分布は \(\epsilon_{r}\) に依存する。
b. 極板間の電位分布は \(\epsilon_{r}\) に依存する。
c. 極板間の静電容量は \(\epsilon_{r}\) に依存する。
d. 極板間に蓄えられる静電エネルギーは \(\epsilon_{r}\) に依存する。
e. 極板上の電荷 (電気量)は \(\epsilon_{r}\) に依存する。

分野: 静電気・コンデンサ論点: 静電気論点: 静電容量

2013年度理論

理論問2

図のように、真空中の直線上に間隔 \(r\) [m] を隔てて、点A, B, Cがあり、各点に電気量 \(Q_{A}=4\times10^{-6}\) [C], \(Q_{B}\) [C], \(Q_{C}\) [C] の点電荷を置いた。これら三つの点電荷に働く力がそれぞれ零になった。このとき、 \(Q_{B}\) [C] 及び \(Q_{C}\) [C] の値の組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
ただし、真空の誘電率を \(\epsilon_{0}\) [F/m] とする。

分野: 静電気・コンデンサ論点: 静電気論点: 静電容量

2013年度理論

理論問3

磁界及び磁束に関する記述として、誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

分野: 磁気・電磁誘導論点: 磁気論点: 電磁誘導

2013年度理論

理論問4

図のように、透磁率 \(\mu_{0}\) [H/m] の真空中に無限に長い直線状導体Aと1辺 \(a\) [m] の正方形のループ状導体Bが距離 \(d\) [m] を隔てて置かれている。AとBは \(xz\) 平面上にあり、Aは \(z\) 軸と平行、Bの各辺は \(x\) 軸又は \(z\) 軸と平行である。
A、Bには直流電流 \(I_{A}\) [A], \(I_{B}\) [A] が、それぞれ図示する方向に流れている。このとき、Bに加わる電磁力として、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
なお、\(xyz\) 座標の定義は、破線の枠内の図で示したとおりとする。

分野: 磁気・電磁誘導論点: 磁気論点: 電磁誘導

2013年度理論

理論問5

図のように、抵抗 \(R\) [\(\Omega\)] と抵抗 \(R_{x}\) [\(\Omega\)] を並列に接続した回路がある。この回路に直流電圧 \(V\) [V] を加えたところ、電流 \(I\) [A] が流れた。\(R_{x}\) [\(\Omega\)] の値を表す式として、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

分野: 直流回路論点: 直流回路

2013年度理論

理論問6

図の直流回路において、抵抗 \(R=10\) [\(\Omega\)] で消費される電力 [W] の値として、最も近いものを次の (1)～(5) のうちから一つ選べ。

分野: 直流回路論点: 直流回路

2013年度理論

理論問7

4 [\(\Omega\)] の抵抗と静電容量が \(C\) [F] のコンデンサを直列に接続したRC回路がある。このRC回路に、周波数 50 [Hz] の交流電圧 100 [V] の電源を接続したところ、20 [A] の電流が流れた。では、このRC回路に、周波数 60 [Hz] の交流電圧 100 [V] の電源を接続したとき、RC回路に流れる電流 [A] の値として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

分野: 静電気・コンデンサ論点: 静電気論点: 静電容量

2013年度理論

理論問8

図に示すような抵抗の直並列回路がある。この回路に直流電圧 5 [V] を加えたとき、電源から流れ出る電流 \(I\) [A] の値として、最も近いものを次の (1)～(5) のうちから一つ選べ。

分野: 直流回路論点: 直流回路

2013年度理論

理論問9

図1のように、\(R\) [\(\Omega\)] の抵抗、インダクタンス \(L\) [H] のコイル、静電容量 \(C\) [F] のコンデンサからなる並列回路がある。この回路に角周波数 \(\omega\) [rad/s] の交流電圧 \(\dot{V}\) [V] を加えたところ、この回路に流れる電流は \(\dot{I}\) [A] であった。
電圧 \(\dot{V}\) [V] 及び電流 \(\dot{I}\) [A] のベクトルをそれぞれ電圧 \(\dot{V}\) [V] と電流 \(\dot{I}\) [A] とした場合、両ベクトルの関係を示す図2(ア、イ、ウ) 及び \(\dot{V}\) [V] と \(i\) [A] の時間 \(t\) [s] の経過による変化を示す図3 (エ、オ、カ)の組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
ただし、\(R \gg \omega L\) 及び \(\omega L = \dfrac{2}{\omega C}\) とし、一切の過渡現象は無視するものとする。

分野: 静電気・コンデンサ論点: 静電気論点: 静電容量

2013年度理論

理論問10

図は、インダクタンス \(L\) [H] のコイルと静電容量 \(C\) [F] のコンデンサ、並びに \(R\) [\(\Omega\)] の抵抗の直列回路に、周波数が \(f\) [Hz] で実効値が \(V(\ne0)\) [V] である電源電圧を与えた回路を示している。この回路において、抵抗の端子間電圧の実効値 \(V_R\) [V] が零となる周波数 \(f\) [Hz] の条件を全て列挙したものとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

分野: 静電気・コンデンサ論点: 静電気論点: 静電容量

2013年度理論

理論問11

次の文章は、不純物半導体に関する記述である。
極めて高い純度に精製されたケイ素 (Si)の真性半導体に、微量のリン(P), ヒ素(As)などの (7) 価の元素を不純物として加えたものを (イ) 形半導体といい、このとき加えた不純物を (ウ) という。
ただし、Si, P, Asの原子番号は、それぞれ14, 15, 33である。

上記の記述中の空白箇所(7), (イ)及び(ウ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

分野: 電気計測・電子回路論点: 半導体物性論点: 電子回路

2013年度理論

理論問12

図の回路において、十分に長い時間開いていたスイッチSを時刻 \(t=0\) [ms] から時刻 \(t=15\) [ms] の間だけ閉じた。このとき、インダクタンス 20 [mH] のコイルの端子間電圧 \(v\) [V] の時間変化を示す図として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

分野: 過渡現象論点: 過渡応答

2013年度理論

理論問13

バイポーラトランジスタを用いた交流小信号増幅回路に関する記述として、誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

分野: 交流回路・三相回路論点: 三相回路論点: トランジスタ特性

2013年度理論

理論問14

ディジタル計器に関する記述として、誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

分野: 交流回路・三相回路論点: 三相回路

2013年度理論

理論問15(a)

図1のように、周波数 50 [Hz], 電圧 200 [V] の対称三相交流電源に、インダクタンス 7.96 [mH] のコイルと 6 [\(\Omega\)] の抵抗からなる平衡三相負荷を接続した交流回路がある。次の(a)及び(b)の問に答えよ。

図1において、三相負荷が消費する有効電力 \(P\) [W] の値として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

分野: 静電気・コンデンサ論点: 静電気論点: 静電容量

2013年度理論

理論問15(b)

図1のように、周波数 50 [Hz], 電圧 200 [V] の対称三相交流電源に、インダクタンス 7.96 [mH] のコイルと 6 [\(\Omega\)] の抵抗からなる平衡三相負荷を接続した交流回路がある。次の(a)及び(b)の問に答えよ。

図2のように、静電容量 \(C\) [F] のコンデンサを\(\Delta\)結線し、その端子 a', b' 及び c' をそれぞれ図1の端子 a, b 及び c に接続した。その結果、三相交流電源からみた負荷の力率が1になった。静電容量 \(C\) [F] の値として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

分野: 静電気・コンデンサ論点: 静電気論点: 静電容量

2013年度理論

理論問16(a)

振幅 \(V_{m}\) [V] の交流電源の電圧 \(v=V_{m}\sin\omega t\) [V] をオシロスコープで計測したところ、画面上に図のような正弦波形が観測された。次の(a)及び(b)の問に答えよ。
ただし、オシロスコープの垂直感度は 5 [V]/div, 掃引時間は 2 [ms]/div とし、測定に用いたプローブの減衰比は1対1とする。

この交流電源の電圧の周期 [ms], 周波数 [Hz], 実効値 [V] の値の組合せとして、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

分野: 交流回路・三相回路論点: 三相回路論点: 力率

2013年度理論

理論問16(b)

振幅 \(V_{m}\) [V] の交流電源の電圧 \(v=V_{m}\sin\omega t\) [V] をオシロスコープで計測したところ、画面上に図のような正弦波形が観測された。次の(a)及び(b)の問に答えよ。
ただし、オシロスコープの垂直感度は 5 [V]/div, 掃引時間は 2 [ms]/div とし、測定に用いたプローブの減衰比は1対1とする。

この交流電源をある負荷に接続したとき、\(i=25\cos(\omega t-\frac{\pi}{3})\) [A] の電流が流れた。この負荷の力率 [%] の値として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

分野: 交流回路・三相回路論点: 三相回路論点: 力率

2013年度理論

理論問17(a)

空気中に半径 \(r\) [m] の金属球がある。次の(a)及び(b)の問に答えよ。
ただし、\(r=0.01\) [m], 真空の誘電率を \(\epsilon_{0}=8.854\times10^{-12}\) [F/m], 空気の比誘電率を1.0とする。

この金属球が電荷 \(Q\) [C] を帯びたときの金属球表面における電界の強さ [V/m] を表す式として、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

分野: 静電気・コンデンサ論点: 静電気論点: 静電容量

2013年度理論

理論問17(b)

空気中に半径 \(r\) [m] の金属球がある。次の(a)及び(b)の問に答えよ。
ただし、\(r=0.01\) [m], 真空の誘電率を \(\epsilon_{0}=8.854\times10^{-12}\) [F/m], 空気の比誘電率を1.0とする。

この金属球が帯びることのできる電荷 \(Q\) [C] の大きさには上限がある。空気の絶縁破壊の強さを \(3\times10^{6}\) [V/m] として、金属球表面における電界の強さが空気の絶縁破壊の強さと等しくなるような \(Q\) [C] の値として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

分野: 静電気・コンデンサ論点: 静電気論点: 静電容量